¿Qué es el IGBT?

El transistor bipolar de puerta aislada es la abreviatura de IGBT y en realidad es un dispositivo semiconductor. Tiene una amplia gama de capacidad de carga de corriente bipolar y tiene tres terminales. Tiene entrada CMOS y salida bipolar y la mayoría de los expertos piensan que es un dispositivo bipolar controlado por voltaje. Tanto BJT como MOSFET en forma monolítica pueden hacer el diseño de IGBT. Los circuitos de alimentación, pulso con modulación, fuente de alimentación interrumpible, electrónica de potencia y mucho más son las aplicaciones del transistor bipolar de puerta aislada. Para reducir el nivel de ruido audible y para aumentar la eficiencia del rendimiento, se utiliza este dispositivo. Los circuitos convertidores de modo resonante también lo usan. Tanto para baja conducción como para pérdida de conmutación se utiliza un transistor bipolar de compuerta aislado optimizado.

Transistor Bipolar de Puerta Aislada

Un dispositivo semiconductor de 3 terminales con cada terminal llamado puerta, emisor y colector. La ruta de conductancia y el terminal de puerta están asociados con el emisor y el terminal de control del IGBT. La relación entre la señal de entrada y la de salida se denomina cálculo de la amplificación alcanzada. La suma de la ganancia es igual a la relación entre la corriente de salida y la corriente de entrada denominada Beta para el BJT convencional. Mosfets o BJTS son los circuitos amplificadores donde se usa principalmente IGBT. La combinación de una pérdida de conducción más baja en un circuito amplificador produce un estado sólido ideal que es ideal en muchos usos de la electrónica de potencia.

Diagrama básico de IGBT:

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El término IGBT es un dispositivo semiconductor y el acrónimo de IGBT es transistor bipolar de puerta aislada. Consiste en tres terminales con una amplia gama de capacidad de carga de corriente bipolar. Los diseñadores del IGBT piensan que es un dispositivo bipolar controlado por voltaje con entrada CMOS y salida bipolar. El diseño del IGBT se puede hacer usando ambos dispositivos como BJT y MOSFET en forma monolítica. Combina los mejores activos de ambos para lograr las características óptimas del dispositivo.

Las aplicaciones del transistor bipolar de compuerta aislada incluyen circuitos de alimentación, modulación de ancho de pulso, electrónica de potencia, fuente de alimentación ininterrumpida y muchos más.

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo portador minoritario con alta impedancia de entrada y gran capacidad de transporte de corriente bipolar. Muchos diseñadores ven IGBT como un dispositivo con características de entrada MOS y característica de salida bipolar que es un dispositivo bipolar controlado por voltaje. Para aprovechar las ventajas de Power MOSFET y BJT, se ha introducido el IGBT. Es una integración funcional de los dispositivos Power MOSFET y BJT en forma monolítica. Combina los mejores atributos de ambos para lograr características óptimas del dispositivo.

Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales utilizado principalmente como un interruptor electrónico que, como se desarrolló, llegó a combinar alta eficiencia y conmutación rápida. Cambia la energía eléctrica en muchos electrodomésticos modernos: variadores de frecuencia (VFD), automóviles eléctricos, trenes, refrigeradores de velocidad variable, balastos de lámparas, aires acondicionados e incluso sistemas estéreo con amplificadores de conmutación. Dado que está diseñado para encenderse y apagarse rápidamente, los amplificadores que lo usan a menudo sintetizan formas de onda complejas con modulación de ancho de pulso y filtros de paso bajo. En las aplicaciones de conmutación, los dispositivos modernos presentan tasas de repetición de pulso dentro del rango ultrasónico, frecuencias que son al menos diez veces la frecuencia de audio más alta manejada por el dispositivo cuando se usa como un amplificador de audio analógico.

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