El transistor bipolar de puerta aislada es la abreviatura de IGBT y en realidad es un dispositivo semiconductor. Tiene una amplia gama de capacidad de carga de corriente bipolar y tiene tres terminales. Tiene entrada CMOS y salida bipolar y la mayoría de los expertos piensan que es un dispositivo bipolar controlado por voltaje. Tanto BJT como MOSFET en forma monolítica pueden hacer el diseño de IGBT. Los circuitos de alimentación, pulso con modulación, fuente de alimentación interrumpible, electrónica de potencia y mucho más son las aplicaciones del transistor bipolar de puerta aislada. Para reducir el nivel de ruido audible y para aumentar la eficiencia del rendimiento, se utiliza este dispositivo. Los circuitos convertidores de modo resonante también lo usan. Tanto para baja conducción como para pérdida de conmutación se utiliza un transistor bipolar de compuerta aislado optimizado.
Transistor Bipolar de Puerta Aislada
Un dispositivo semiconductor de 3 terminales con cada terminal llamado puerta, emisor y colector. La ruta de conductancia y el terminal de puerta están asociados con el emisor y el terminal de control del IGBT. La relación entre la señal de entrada y la de salida se denomina cálculo de la amplificación alcanzada. La suma de la ganancia es igual a la relación entre la corriente de salida y la corriente de entrada denominada Beta para el BJT convencional. Mosfets o BJTS son los circuitos amplificadores donde se usa principalmente IGBT. La combinación de una pérdida de conducción más baja en un circuito amplificador produce un estado sólido ideal que es ideal en muchos usos de la electrónica de potencia.
Diagrama básico de IGBT:
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