¿Por qué un BJT es un dispositivo controlado por corriente y un FET un dispositivo controlado por voltaje? ¿Cuál es una explicación completa de esto?

La respuesta típica es:

BJT está controlado por la corriente debido a la relación entre la entrada (corriente base) y la salida (corriente del colector). Ic = BETA * Ib. Donde BETA es relativamente constante durante varias décadas de corriente.

El MOSFET controla la carga del canal en función del voltaje de polarización de la puerta (en relación con la fuente y el volumen). Esto da como resultado un control de la corriente de salida en función del voltaje de entrada.

Técnicamente, estos son correctos desde cierto punto de vista. Sin embargo, es realmente semántica. ¿El voltaje del emisor base creó la corriente en la base O ingresó una corriente en la base que resultó en el voltaje del emisor base dado?

La verdadera respuesta a esta pregunta es: ¿Cuál es la mejor manera de visualizar el funcionamiento del dispositivo para usarlo en una aplicación real?

En casi todas las aplicaciones reales, el BJT (y MOSFET) debe verse como un TRANSCONDUCTOR, una fuente de corriente controlada por voltaje (VCCS). Una forma muy simple de visualizar esto es con el amplificador de emisor común. La ganancia, Av, es Av = gm * Rload, donde gm es la transconductancia del dispositivo y Rload es la impedancia de carga en el colector (salida). ¡No hay referencia a BETA! Ver el dispositivo como conducido por la corriente conducirá a una mala intuición y prácticas de diseño en la mayoría de los casos.

Independientemente de la física del funcionamiento del dispositivo, prácticamente todas las aplicaciones de transistores utilizan los dispositivos como ENTRADA DE VOLTAJE y SALIDA ACTUAL.

En caso de transistor de unión bipolar

el voltaje de salida es Vce (a través de la unión colector-emisor) y la corriente de entrada es Ib (corriente base), la relación está dada por

Vce = Vcc− (B * Ib) × Rc, donde B = beta e Ib = corriente base

Aquí el voltaje de salida, la polarización de BJT depende de la corriente de entrada y se conoce como dispositivo controlado por corriente.

Pero en el Transistor del emisor de campo, la corriente de drenaje está controlada por el ancho del canal. La diferencia de potencial aplicada a través de Gate controla el ancho del canal. De la característica, se puede observar que al cambiar Vgs, la corriente de drenaje está cambiando, por eso FET es un dispositivo controlado por voltaje.

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Transistor de unión bipolar o BJT

JFET o transistor de efecto de campo de unión

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