Puede obtener una buena estimación de la aproximación de WKB.
La probabilidad de túnel por intento (por ejemplo, el electrón intenta viajar desde la fuente al drenaje y se refleja o atraviesa) es:
[matemática] P \ sim \ exp \ left (- 2 \ sqrt {- \ frac {2m ^ * (EV)} {\ hbar ^ 2}} L \ right) [/ math]
Donde E es la energía del electrón, y V es la energía potencial del electrón debajo de la puerta, entre la fuente y el drenaje. (Asumimos V> E para que el mosfet esté “apagado”). L es la longitud del canal entre la fuente y el drenaje, y m * es la masa efectiva del electrón.
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Para calcular la corriente de túnel real que obtendría, debe tener en cuenta la velocidad de los intentos de túnel, por ejemplo, la densidad numérica de electrones en los contactos y su energía cinética E.
Tres puntos de mirar la forma de la ecuación:
- el túnel cuántico se suprimirá exponencialmente para una gran distancia L entre la fuente y el drenaje.
- el túnel cuántico se suprimirá exponencialmente para aumentar los voltajes de las puertas
- Los electrones con la energía más alta ‘E’ van a formarse un túnel mucho más fácilmente que los electrones con energías más bajas.