¿Cuál es la diferencia entre BJT y FET?

Answer 1

BJT y FET están compuestos de diferentes materiales semiconductores, principalmente tipo P y tipo N. Estos transistores se utilizan básicamente para el diseño de osciladores, amplificadores e interruptores.

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales formado al unir dos diodos de señal individuales de forma consecutiva, lo que nos dará dos uniones PN conectadas entre sí en serie que comparten un p-terminal o n-terminal común.

El transistor de efecto de campo es un transistor que utiliza un campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad eléctrica de un canal de un tipo de portador de carga en un material semiconductor.

Aquí explicamos la diferencia entre BJT y FET en detalle. Para más detalles, haga clic a continuación:

Diferencia entre BJT y FET

Answer 2

Diferencia entre BJT y FET

• Los transistores de unión bipolar son dispositivos bipolares, en este transistor hay un flujo de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
• Los transistores de efecto de campo son dispositivos unipolares, en este transistor solo hay flujos de portadores de carga mayoritarios.
• El transistor de unión bipolar está controlado por corriente.
• Los transistores de efecto de campo están controlados por voltaje.
• En muchas aplicaciones, se utilizan FET que los transistores de unión bipolar.
• El transistor de unión bipolar consta de tres terminales, a saber, emisor, base y colector. Estos terminales se denotan por E, B y C.
• El transistor de efecto de campo consta de tres terminales, a saber, fuente, drenaje y compuerta. Estos terminales se denotan por S, D y G.
• La impedancia de entrada de los transistores de efecto de campo es alta en comparación con los transistores de unión bipolar.
• Un BJT necesita una pequeña cantidad de corriente para encender el transistor. El calor disipado en bipolar detiene el número total de transistores que se pueden fabricar en el chip.
• Siempre que se haya cargado el terminal ‘G’ del transistor FET, no se requiere más corriente para mantener el transistor encendido.
• El BJT es responsable del sobrecalentamiento debido a un coeficiente de temperatura negativo.
• FET tiene un coeficiente de temperatura + Ve para detener el sobrecalentamiento.
• Los BJT son aplicables para aplicaciones de baja corriente.
• Los FETS son aplicables para aplicaciones de bajo voltaje.
• Los FET tienen una ganancia baja a media.
• Los BJT tienen una frecuencia máxima más alta y una frecuencia de corte más alta.

Answer 3

Una manera fácil de explicar la diferencia sería usar un grifo / grifo / válvula. FET tiene una válvula (compuerta) que puede controlar el flujo de agua (corriente de drenaje) girando la válvula (cambiando el voltaje de la compuerta). BJT tiene una válvula especializada (base) que puede controlar el flujo de agua (corriente del colector) al tener un flujo de agua (corriente base) en la válvula misma. A mayor flujo de agua en la válvula (corriente base), mayor es el agua (corriente colectora) a través del grifo.

Answer 4

• Los transistores de unión bipolar son dispositivos bipolares, en este transistor hay un flujo de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
• Los transistores de efecto de campo son dispositivos unipolares, en este transistor solo hay flujos de portadores de carga mayoritarios.
• Los BJT están controlados por corriente.
• Los transistores de efecto de campo están controlados por voltaje.
• En muchas aplicaciones, se utilizan FET que los transistores de unión bipolar.
• El transistor de unión bipolar consta de tres terminales, a saber, emisor, base y colector. Estos terminales se denotan por E, B y C.
• El transistor de efecto de campo consta de tres terminales, a saber, fuente, drenaje y compuerta. Estos terminales se denotan por S, D y G.
• La impedancia de entrada de los transistores de efecto de campo es alta en comparación con los transistores de unión bipolar.
• Un BJT necesita una pequeña cantidad de corriente para encender el transistor. El calor disipado en bipolar detiene el número total de transistores que se pueden fabricar en el chip.
• Siempre que se haya cargado el terminal ‘G’ del transistor FET, no se requiere más corriente para mantener el transistor encendido.
• El BJT es responsable del sobrecalentamiento debido a un coeficiente de temperatura negativo.
• FET tiene un coeficiente de temperatura + Ve para detener el sobrecalentamiento.
• Los BJT son aplicables para aplicaciones de baja corriente.
• Los FETS son aplicables para aplicaciones de bajo voltaje.
• Los FET tienen una ganancia baja a media.
• Los BJT tienen una frecuencia máxima más alta y una frecuencia de corte más alta.

Answer 5

La analogía del agua del grifo es la forma más fácil de detectar los transistores FET y BJT. Una válvula de agua siempre se usa como dispositivo para controlar el flujo de agua.

Para el transistor de efecto de campo, la fuente de agua es el voltaje aplicado desde el drenaje a la fuente, que establece el flujo de agua (electrones) desde la espita (fuente). La puerta, a través de un potencial aplicado, controla el flujo de agua hacia el desagüe.

Del mismo modo, piense en un transistor de unión bipolar como un dispositivo utilizado para controlar el flujo de corriente eléctrica con la ayuda de una corriente base.

Continuaré esta discusión en puntos considerando varios parámetros.

1. Mecanismo de control

En BJT , la corriente de colector Ic es la función directa de la corriente base Ib y, por lo tanto, es un dispositivo controlado por corriente .

En FET , la corriente de drenaje Id es la función de la puerta a la fuente de voltaje Vgs aplicada al circuito de entrada. Está Dispositivo controlado por voltaje .

2. Mecanismo de flujo portador

En BJT , el nivel de conducción es una función de dos portadores de carga, electrón y agujeros. Por lo tanto, es un dispositivo bipolar . Además, el flujo portador sigue tanto el mecanismo de deriva como el de difusión .

En FET , la conducción depende únicamente del electrón (canal n) o del agujero (canal p). Por lo tanto, es un dispositivo unipolar . El flujo del portador se debe al mecanismo de deriva .

3. Ganancia de voltaje (relación entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada)

En BJT , la variación de una corriente de salida suele ser mucho más para BJT que para FET para el mismo cambio en el voltaje aplicado.

En FET , la ganancia es menos relativa a BJT.

4. Estabilidad de temperatura

La corriente base en BJT es sensible a la temperatura y esto conduce a una menor estabilidad de temperatura del dispositivo.

El FET es más estable a la temperatura .

5. Tamaño

Los BJT son grandes y voluminosos.

Los FET son de menor tamaño. Esta cualidad los hace útiles en chips IC.

Answer 6

Diferencia entre BJT y FET

Los transistores de unión bipolar son dispositivos bipolares, en este transistor hay un flujo de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.

Los transistores de efecto de campo son dispositivos unipolares, en este transistor solo hay flujos de portadores de carga mayoritarios.

Los transistores de unión bipolar están controlados por corriente.

Los transistores de efecto de campo están controlados por voltaje.

En muchas aplicaciones, se utilizan FET que los transistores de unión bipolar.

El transistor de unión bipolar consta de tres terminales, a saber, emisor, base y colector. Estos terminales se denotan por E, B y C.

El transistor de efecto de campo consta de tres terminales, a saber, fuente, drenaje y compuerta. Estos terminales se denotan por S, D y G.

La impedancia de entrada de los transistores de efecto de campo es alta en comparación con los transistores de unión bipolar.

Un BJT necesita una pequeña cantidad de corriente para encender el transistor. El calor disipado en bipolar detiene el número total de transistores que se pueden fabricar en el chip.

Siempre que se haya cargado el terminal ‘G’ del transistor FET, no se requiere más corriente para mantener el transistor encendido.

El BJT es responsable del sobrecalentamiento debido a un coeficiente de temperatura negativo.

FET tiene un coeficiente de temperatura + Ve para detener el sobrecalentamiento.

Los BJT son aplicables para aplicaciones de baja corriente.

Los FETS son aplicables para aplicaciones de bajo voltaje.

Los FET tienen una ganancia baja a media.

Los BJT tienen una frecuencia máxima más alta y una frecuencia de corte más alta.

¿Cuáles son las diferencias entre BJT y FET?

Answer 7

BJT es solo un transistor ordinario que tiene tipos NPN y PNP.

FET sigue siendo un transistor, pero su característica está cerrada a un tubo de vacío. Tiene tipos N y P.

Grandes diferencias:
BJT – amplificar corriente; la impedancia de entrada es baja y la salida es aún más baja; funcionar con una fuente de energía de menor voltaje; no es fácil obtener daños por carga estática; consumir más corriente; Menos eficiencia porque tiene una mayor fuga.

FET – amplificar voltaje; la impedancia de entrada es muy alta (mega ohmios), la impedancia o la salida es mucho más alta que BJT, pero no tan alta como un tubo de vacío; puede tomar una fuente de energía de voltaje mucho más alto; muy fácil de dañar por carga estática; consume menos corriente; mucha más eficiencia porque tiene muy muy poca fuga.

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Answer 8

Bastante, y es un accidente histórico que no obtuvimos FET diez años antes y que los BJT nunca hubieran sido tan prominentes.

Un BJT tiene uniones y funciona debido a que tiene una base muy delgada. Los FETS funcionan por un proceso diferente, con una puerta aislada generalmente. Los FETS son mucho más parecidos a los viejos pentodos de tubos de vacío, con curvas casi idénticas, solo con capacitancias de entrada mil veces más grandes. Si FETS hubiera salido primero, entonces los viejos ingenieros habrían tenido un tiempo considerablemente más fácil adaptándose a ellos. Pero de todos modos, son diferentes. Un BJT que generalmente diseña como un dispositivo de entrada de baja impedancia, un FET como de alta impedancia, se extrae a altas frecuencias donde domina la capacitancia y utiliza un transformador de entrada estrechamente acoplado o un controlador de alta corriente.

Answer 9

Las principales diferencias son:

• Tipo de transportistas: en un BJT, el flujo de corriente requiere el movimiento de transportistas minoritarios y mayoritarios. Un FET, por otro lado, requiere el movimiento de solo operadores mayoritarios.
• Los transportistas en un FET se mueven solo debido al mecanismo de deriva, pero los transportadores en un BJT se mueven debido al mecanismo de deriva y difusión.
• Mecanismo de control: el BJT es un dispositivo controlado por corriente. La corriente base del BJT decide el flujo de corriente del emisor al colector. Sin embargo, el FET es un dispositivo controlado por voltaje. El voltaje de la puerta controla el flujo del portador desde la fuente hasta el drenaje.
• La temperatura y el ruido tienen un efecto dominante en los BJT porque implican el movimiento de transportistas minoritarios que son sensibles a los cambios en el medio ambiente. En los FET donde los transportistas minoritarios no juegan ningún papel en el flujo de corriente, la temperatura y el ruido no juegan un papel importante.
• Los BJT tienen un producto de mayor ancho de banda de ganancia que los FET y, por lo tanto, son más adecuados para aplicaciones de alta frecuencia,

Answer 10

1. FET es dispositivos unipolares . BJT es un dispositivo bipolar. Significa que en la operación FET depende del flujo de la mayoría de los portadores de agujeros para el canal p
FET y electrones para FET de canales N. Por lo tanto, FET se llama dispositivos unipolares. En BJT, la operación depende de los operadores actuales minoritarios y mayoritarios, por lo que BJT son dispositivos bipolares.

2. Como FET no tiene unión y la conducción es a través de un material semiconductor tipo N o tipo P. FET es menos ruidoso que B JT.

3. FET exhibe una impedancia de entrada mucho más alta (en el orden de 100 M ohmios) y una impedancia de salida más baja y habrá un alto grado de aislamiento entre entrada y salida, por lo que FET puede actuar como un excelente amplificador buffer pero BJT tiene baja impedancia de entrada porque su circuito de entrada está polarizado hacia adelante.

4. FET es un dispositivo controlado por voltaje , es decir, el voltaje en el terminal de entrada controla la corriente de salida, mientras que BJT es un dispositivo controlado por corriente , es decir, la corriente de entrada controla la corriente de salida.

5. Los FET son mucho más fáciles de fabricar y son particularmente adecuados para los IC porque ocupan menos espacio que los BJT .

6. El rendimiento de BJT es degradado por la radiación de neutrones debido a la reducción en el tiempo de vida de los portadores minoritarios, mientras que FET puede tolerar un nivel mucho más alto de radiación ya que no responden a los portadores minoritarios para su operación.

7. El rendimiento de FET no se ve afectado por los cambios de temperatura ambiente. tiene un coeficiente de temperatura negativo a altos niveles de corriente, evita que el FET se descomponga térmicamente, el BJT tiene un coeficiente de temperatura positivo a altos niveles de corriente que conduce a una ruptura térmica.

8. FET tiene mayores velocidades de conmutación y frecuencias de corte. BJT tiene una velocidad de conmutación más baja y frecuencias de corte.

9. Los BJT son más baratos de producir que los FET.

Answer 11

Por favor no te preocupes ya que estoy compartiendo fotos

o

Una diferencia importante más es que los BJT son dispositivos altamente ruidosos que los JFET.

Y los BJT causan mucho y más efecto de carga que el de los FET. Cuál es la principal desventaja de usar BJT en un circuito donde se debe evitar el efecto de carga.

Los FET son dispositivos de conmutación más rápidos que los del BJT. Porque FET es un dispositivo portador mayoritario.

Answer 12

1. El BJT es un dispositivo controlado por corriente ya que su salida se determina en la corriente de entrada, mientras que FET se considera un dispositivo controlado por voltaje, porque depende del efecto de campo del voltaje aplicado.
2. El BJT (Transistor de unión bipolar) usa los portadores minoritarios y mayoritarios (agujeros y electrones), mientras que los FET, que a veces se llaman transistores unipolares, usan agujeros o electrones para la conducción.
3. Los tres terminales de BJT se denominan base, emisor y colector, mientras que los FET se denominan fuente, drenaje y compuerta.
4. Los BJT son el primer tipo que se produce comercialmente en masa.

Fuentes: Google

Answer 13

Un FET controla el canal de conducción por el voltaje aplicado a la puerta, en los transistores se utilizan corrientes.

El FET crea un campo por polarización inversa o agotamiento de una zona aislada, luego tienen una impedancia de entrada muy alta en la puerta y una característica de transferencia similar a un viejo triodo de vacío, muy fácil de usar en proyectos de bricolaje.

Un FET puede tener una resistencia de canal de ENCENDIDO muy baja, pero un producto de ancho de banda de baja ganancia en comparación con los transistores.

Para un circuito o amplificador rápido, use transistores, para una alta impedancia o conmutación, use mejor un FET (en realidad un MOSFET).

Answer 14

gracias por A2A

Lee esto ,

La respuesta de Nikhil Valiveti a ¿Cómo se clasificaron las familias BJT?

Explicó los nombres y las diferencias b / w fet & bjt.

espero que esto ayude..

Answer 15

BJT – TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR.

1.dispositivo bipolar ya que los flujos de corriente se deben tanto a operadores mayoritarios como minoritarios.

2.dispositivo controlado actual. La corriente del colector depende de la corriente base.

3. más grande en comparación con fet.

4.puede usarse como interruptor y amplificador.

TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO FET.

1.dispositivo unipolar ya que la corriente fluye debido a portadores mayoritarios o minoritarios.

2. dispositivo controlado por voltaje. ID depende de vgs

3.más pequeño en tamaño y se puede utilizar en la fabricación de vlsi.

4.puede usarse como interruptor y amplificador

BJT ES UN MEJOR INTERRUPTOR MIENTRAS QUE FET ES UN MEJOR AMPLIFICADOR.

GRACIAS

Answer 16

decirte en una sola línea
un bjt es un dispositivo controlado por corriente mientras que un fet es un dispositivo controlado por voltaje
un bjt amplifica la corriente base y produce un valor amplificado en el colector
un FET puede entenderse simplemente como una tubería de agua con una válvula para controlar el flujo de agua
si podemos controlar incluso una sola gota de agua que cae, tenemos un mejor control
de manera similar, FET controla el voltaje aplicado

ambos pueden usarse para los mismos fines de amplificación o como un interruptor
fet tiene bajo consumo de energía pero bjt tiene mayor velocidad de respuesta
gracias por el A2A por cierto 😉

Answer 17

Una forma de ver una jfet es con una manguera con la mano agarrada alrededor del exterior. Cuanto más apretado agarres, más pequeña será la abertura interior y menor será el flujo. Su mano representa el elemento de la puerta, y la manguera es el canal. El bipolar es bastante diferente. Tiene la apariencia de dos diodos en serie con el bloqueo del diodo de la base del colector. El potencial colector elimina la unión base-colector de los transportistas libres, estableciendo una región de agotamiento. La corriente de polarización de la base emisora ​​estimula el colapso de la región de agotamiento entre el colector y la base. Esto provoca un flujo de corriente ya que la polarización inversa en la unión base-colector intenta mantener un estado agotado.

Answer 18

Transistores BJT vs. FET

^ Esto te daría una breve idea

Answer 19

1. BJT es un dispositivo controlado por corriente mientras que FET es un dispositivo controlado por voltaje.
2. La corriente del colector BJT depende de la corriente base, pero la corriente FET depende de la puerta y el voltaje de la fuente.
3.En los BJT, tanto los agujeros como los electrones transportan corriente, mientras que en FET solo los agujeros o los electrones transportan corriente.
4. BJT tiene baja impedancia de entrada, mientras que FET tiene alta impedancia de entrada.
5. BJT tiene alta impedancia de salida mientras que FET tiene baja impedancia de salida.
por lo que FET evita la carga de la fuente.
6. FEt tiene más eficiencia que BJT

Answer 20

1. BJT tiene baja impedancia de entrada, mientras que FET tiene alta impedancia de entrada.
2. BJT tiene alta impedancia de salida mientras que FET tiene baja impedancia de salida.
por lo que FET evita la carga de la fuente