Idealmente, un JFET está diseñado para el flujo de portadores entre los dos terminales designados como la fuente y el drenaje.
La unión de la puerta a la fuente tiene polarización inversa para permitir una corriente de puerta insignificante, de modo que todos los portadores en la fuente se dirijan hacia el drenaje bajo un potencial aplicado adecuado.
Por lo tanto, la corriente que fluye a través de la unión de puerta a fuente con polarización inversa es la corriente de saturación inversa, que se debe al pequeño número de portadores minoritarios en las regiones do y p dopadas que son asistidos por el campo predominante a través de la inversa. unión sesgada para cruzar la unión, y generalmente es extremadamente pequeña, del orden de picoAmpere.
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El diagrama anterior ilustra los potenciales requeridos en los tres terminales, a saber, el drenaje, la fuente y la puerta, tanto para un JFET de canal p como para un JFET de canal n.
Sin embargo, debe tenerse en cuenta que en un JFET, el número de tales portadores minoritarios es tan pequeño que el JFET actúa como un dispositivo de alta impedancia de entrada y, a todos los efectos prácticos, se supone que no fluye corriente a través de la puerta terminal.