Diodo de unión PN : un diodo de unión pn se forma con un semiconductor de tipo y un semiconductor de tipo ap y el nivel de dopaje es normal o moderado … es decir, el Fermi de tipo p se ubicará cerca de la banda de valencia y el Fermi de tipo n se ubicará cerca de la banda de conducción … por lo que el flujo de electrones y agujeros se explica fácilmente usando conceptos básicos de atracción y repulsión electrónica … El gráfico VI es un gráfico de tipo exponencial, durante la polarización directa los electrones y los agujeros cruzan la región de agotamiento y, por lo tanto, la corriente directa fluye y el ancho de la barrera disminuye … durante la polarización inversa, la corriente no puede fluir a través del dispositivo ya que los electrones y los agujeros son atraídos por la batería … y no cruzan la región de agotamiento … por lo tanto, el ancho de la barrera aumenta … por lo que ahora no fluye corriente directa …
Diodo de túnel : un diodo de túnel es un dispositivo muy dopado … está tan dopado que el Fermi de tipo P se encuentra debajo de la banda de valencia y el Fermi de tipo n se encuentra por encima de la banda de conducción … el flujo de electrones no se explica con tanta facilidad … requiere un concepto de túnel mecánico cuántico … pero en cualquier libro estándar se puede observar que funciona durante la polarización directa e inversa en una forma simplificada … tiene una región de resistencia negativa en las características IV … es un dispositivo de microondas muy rápido que funciona en Rango de GHz … un diodo PN normal no tiene una conmutación de alta velocidad …
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