Además de una mayor potencia de salida en forma de capacidad de carga de corriente mejorada, las únicas ventajas del MOSFET paralelo que sé es:
- Menor resistencia térmica.
Esto se debe a que los canales de corriente distribuidos permiten un flujo de corriente inferior al máximo que reduce el calentamiento y su resistencia inducida.
- La ganancia actual aumenta.
Como más transconductancia disponible.
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Aparte de los puntos anteriores, la topología paralela no ofrece muchos incentivos para aumentar Gm, ganancia de voltaje, velocidad, disminuir parásitos, latencia, etc.
De hecho, hay muchas desventajas que deben tenerse en cuenta al implementar los circuitos. Por lo tanto, estas pautas generales deben seguirse al hacer paralelo a MOSFET:
- Use resistencias de compuerta individuales para eliminar el riesgo de oscilación parasitaria.
- Asegúrese de que los dispositivos en paralelo tengan un acoplamiento térmico ajustado.
- Ecualice la inductancia de fuente común y reduzca a un valor que no afecte en gran medida las pérdidas de conmutación totales a la frecuencia de operación.
- Reduzca la inductancia parásita a valores que proporcionen sobreimpulsos aceptables a la corriente de funcionamiento máxima.
- Asegúrese de que la puerta del MOSFET esté mirando hacia una fuente rígida (voltaje) con tan poca impedancia como sea práctico.
- Los diodos Zener en los circuitos de control de compuerta pueden causar oscilaciones. Cuando sea necesario, deben colocarse en el lado del conductor de las resistencias de desacoplamiento de la puerta.
- Los condensadores en los circuitos de control de compuerta ralentizan la conmutación, lo que aumenta el desequilibrio de conmutación entre dispositivos y puede causar oscilaciones.
- Los componentes extraviados se minimizan mediante un diseño ajustado y se igualan mediante la posición simétrica de los componentes y el enrutamiento de las conexiones.
Aquí hay una buena nota de aplicación para leer sobre MOSFET paralelo en más detalle: http://www.irf.com/technical-inf…
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