¿Qué es la corriente de saturación inversa?

Cuando el diodo tiene polarización inversa, entonces el ancho de la región de agotamiento aumenta, los portadores mayoritarios se alejan de la unión y no hay flujo de corriente debido a los portadores mayoritarios, pero también hay pares de agujeros de electrones producidos térmicamente. Si estos electrones y agujeros se generan en las proximidades de la unión, entonces hay un flujo de corriente. El voltaje negativo aplicado al diodo tenderá a atraer los agujeros así generados y a repeler los electrones. Al mismo tiempo, el voltaje positivo atraerá los electrones hacia la batería y repelerá los agujeros. Esto hará que la corriente fluya en el circuito. Esta corriente suele ser muy pequeña (intervalos de micro amplificador a nano amplificador). Dado que esta corriente se debe a portadores minoritarios y este número de portadores minoritarios se fija a una temperatura dada, por lo tanto, la corriente es casi constante conocida como corriente de saturación inversa ICO.

En el diodo real, la corriente no es casi constante pero aumenta ligeramente con el voltaje. Esto se debe a la corriente de fuga superficial. La superficie del diodo sigue la ley óhmica (V = IR). La resistencia en condiciones de polarización inversa es muy alta de 100k a mega ohmios. Cuando se aumenta el voltaje inverso, entonces a cierto voltaje, se produce una ruptura en el diodo y conduce mucho. Esto se debe a un colapso de avalancha o zener.

En un diodo de unión PN, la corriente de saturación inversa se debe al flujo difusivo de electrones minoritarios desde el lado p hacia el lado n y los agujeros minoritarios desde el lado n hacia el lado p. En una característica inversa de la unión pn, el aumento de corriente en el rango de nano amperios (silicio) o microamperios (ger) con respecto al voltaje inverso. Cuando se produce una falla de voltaje, la corriente permanece constante y no aumenta aunque haya un aumento de voltaje. Esta corriente se conoce como corriente de saturación inversa.

Por lo tanto, la corriente de saturación inversa depende del coeficiente de difusión de electrones y huecos. Los portadores minoritarios se generan térmicamente, por lo que la corriente de saturación inversa casi no se ve afectada por el sesgo inverso, pero es muy sensible a los cambios de temperatura.

Muy bien, entendamos por la palabra misma. Como en la palabra misma, esta es una corriente de saturación (corriente casi constante) que fluye en un dispositivo (ya sea un diodo, bjt o cualquier otro dispositivo) cuando el dispositivo tiene polarización inversa (o una unión particular tiene polarización inversa). Ahora uno podría preguntarse por qué hay un flujo de corriente cuando una unión está polarizada inversamente, ya que en ese caso el dispositivo / unión debería ser un estado no conductor. Bueno, su respuesta básica radica en la expresión para la corriente de diodo obtenida durante el modelado matemático de diodo en el que el término exponencial que incluye el efecto del voltaje se descuida debido al alto valor negativo del sesgo aplicado y el término que nos queda es el reverso corriente de saturación Un significado físico de esto es que cuando se aplica un sesgo negativo en el lado p de una unión, un electrón en el lado p sería empujado hacia el lado n. Sin embargo, dado que la barrera en la unión sería grande (el ancho de agotamiento aumenta con el voltaje aplicado hasta la ruptura en la dirección inversa), es difícil para el portador cruzar la unión y, por lo tanto, solo se constituye una pequeña cantidad de corriente, que se denomina corriente de saturación inversa .

El flujo is en la condición de polarización inversa del diodo se llama corriente de saturación inversa.

Los portadores minoritarios son responsables de esa corriente, pero es independiente del voltaje inverso y depende solo de la temperatura.

Se denota por Is o Io

“Corriente de saturación inversa”

Reverso : – condición de polarización inversa

Saturación : – casi constante (saturada)

Actual : actual

Nota : – Para el valor de diodo de Si, la corriente de saturación inversa está en el rango de pocos “nA”, mientras que para el Ge en pocos “uA”. Por lo tanto, Si prefiere a Ge

La corriente de saturación inversa es un flujo de corriente debido a un portador minoritario desde una región neutra a una región de agotamiento creciente, estos portadores minoritarios se forman en la unión debido a electrones y agujeros producidos térmicamente. Aparte de esto, el aumento de la tensión inversa aplicada atrae los electrones al lado positivo y repele los agujeros al lado negativo, esto también causa un flujo de corriente de un minuto.

Si aplica un voltaje inverso a un diodo semiconductor, obtiene una pequeña cantidad de corriente que a veces se denomina corriente de “fuga”. Permanece “relativamente” constante a medida que aumenta el voltaje inverso hasta que, “de repente”, alcanza el llamado “voltaje de ruptura inversa”, en cuyo punto la corriente inversa aumenta drásticamente. Existe una analogía con el voltaje requerido para encender una lámpara de neón, o alguna lámpara de gas similar.

La corriente de saturación (o corriente de escala), más exactamente, la corriente de saturación inversa, es esa parte de la corriente inversa en un diodo semiconductor causada por la difusión de portadores minoritarios desde las regiones neutras a la región de agotamiento. Esta corriente es casi independiente de la tensión inversa.

En un diodo de unión PN, la corriente de saturación inversa se debe al flujo difusivo de electrones minoritarios desde el lado p hacia el lado n y los agujeros minoritarios desde el lado n hacia el lado p. Por lo tanto, la corriente de saturación inversa depende del coeficiente de difusión de electrones y huecos.

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¿Qué es la corriente de saturación inversa?

En un diodo de unión PN, la corriente de saturación inversa se debe al flujo difusivo de electrones minoritarios desde el lado p hacia el lado n y los agujeros minoritarios desde el lado n hacia el lado p. Por lo tanto, la corriente de saturación inversa depende del coeficiente de difusión de electrones y huecos.

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