¿Cuál es la diferencia entre un diodo gunn y un diodo túnel?

Un diodo Gunn , también conocido como dispositivo de electrones transferidos (TED), es una forma de diodo, un componente electrónico semiconductor pasivo de dos terminales, con resistencia negativa, utilizado en electrónica de alta frecuencia. Se basa en el “efecto Gunn” descubierto en 1962 por el físico JB Gunn. Su mayor uso es en osciladores electrónicos para generar microondas, en aplicaciones como pistolas de velocidad de radar, transmisores de enlace de datos de relé de microondas y abridores automáticos de puertas.

Su construcción interna es diferente a la de otros diodos, ya que consiste solo en material semiconductor dopado en N, mientras que la mayoría de los diodos consisten en regiones dopadas en P y N. Por lo tanto, no conduce en una sola dirección y no puede rectificar la corriente alterna como otros diodos, por lo que algunas fuentes no usan el término diodo sino que prefieren TED. En el diodo Gunn, existen tres regiones: dos de ellas están fuertemente dopadas con N en cada terminal, con una capa delgada de material ligeramente dopado entre ellas. Cuando se aplica un voltaje al dispositivo, el gradiente eléctrico será mayor en la delgada capa media. Si se aumenta el voltaje, la corriente a través de la capa aumentará primero, pero eventualmente, a valores de campo más altos, las propiedades conductoras de la capa intermedia se alteran, aumentando su resistividad y haciendo que la corriente caiga. Esto significa que un diodo Gunn tiene una región de resistencia diferencial negativa en su curva característica de corriente-voltaje, en la cual un aumento del voltaje aplicado, causa una disminución en la corriente. Esta propiedad le permite amplificarse, funcionar como un amplificador de radiofrecuencia, o volverse inestable y oscilar cuando está polarizado con un voltaje de CC.

(fuente: diodo Gunn – Wikipedia)

También respondí una pregunta sobre los diodos de túnel en Quora.