Siempre hay una tendencia a seleccionar una frecuencia más alta para reducir el tamaño del Inductor y el Condensador para minimizar el tamaño del convertidor. Sin embargo, puede que no necesariamente reduzca el tamaño del convertidor.
A medida que aumenta la frecuencia de conmutación del MOSFET, las pérdidas de conmutación en el MOSFET aumentan. Esto requiere el uso del disipador de calor más grande que compensa la reducción en el tamaño del Inductor y el Condensador.
Mi elección será limitar la frecuencia de conmutación del MOSFET alrededor de 100 kHz para un convertidor de potencia de alto rendimiento y alrededor de 200 kHz para un convertidor de bajo rendimiento, ya que esto no requiere un diseño complejo y puede usar componentes que están fácilmente disponibles a un costo menor. Sin embargo, con el desarrollo de dispositivos GaN que tienen una carga de puerta más baja (y, por lo tanto, pérdidas de conmutación más bajas), los diseños con pocos MHz están disponibles en el mercado hoy en día.
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