Es un modelo para describir el comportamiento de señal grande de un transistor, y comenzar con la simple noción de dos diodos consecutivos. Por ejemplo, los diodos vistos en las dos uniones en NPN, P es la base; luego un diodo hacia atrás desde la base al colector y un diodo hacia adelante desde la base al emisor, obviamente la corriente en un diodo impacta al otro y se modelan como fuentes de corriente dependientes.
Para el transistor típico αR cerca de 0.99 y αF 0.1 a 0.5, y puede usar la ecuación de diodo para deducir todas las corrientes.
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Con la corriente inversa de saturación Is, tenga en cuenta la dependencia térmica VT = -kT / q
Entonces puedes simplificar a expresiones clásicas