III-V semiconductores compuestos.
Los grupos de investigación han podido integrar III-N y III-As / P en silicio, que anteriormente era una razón para retrasarlos (junto con el costo). Ofrecen varias ventajas sobre el silicio y se utilizan en aplicaciones de alta velocidad (GaAs) e interruptores de alta potencia (GaN).
GaAs tiene una movilidad de electrones muy alta y se usa en transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) y transistores bipolares de heterounión (HBT).
GaN y AlGaN tienen bandgaps muy altos, por lo que se utilizan en aplicaciones de alta potencia.
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Hasta ahora he hablado solo de transistores, la optoelectrónica es otra área enorme para III-V, particularmente con el reciente interés en la iluminación de estado sólido. Estos materiales se utilizan para construir diodos láser, láser de cascada cuántica, LED, fotodetectores, etc.