Este es un problema que surge de la disminución del tamaño de la función. A medida que avanzamos hacia geometrías cada vez más pequeñas, avanzamos hacia voltajes operativos más bajos. Esto se debe a la ruptura dieléctrica. Estos voltajes de drenaje más bajos no pueden eliminar completamente la carga acumulada en el dieléctrico. Para algunos fabricantes, esto se basa en la obsolescencia planificada. Si los teléfonos celulares y las computadoras portátiles pueden ser legados a sus nietos, no venderán muchos productos en el futuro.
No sé cómo superar este fenómeno con las técnicas fabulosas actuales. Quizás diferentes óxidos u óxido dopado arreglen esto. Pero a medida que nos acercamos a las interconexiones que tienen solo una docena de átomos de ancho y dieléctricos, ya que con un grosor de cuatro átomos, habrá una serie de otros problemas con los que lidiar.
Leí el artículo de IEEE y debo decir que hay declaraciones que no eran exactamente correctas o que faltaban calificadores. El problema con la inyección de carga probablemente se resolverá en un futuro próximo y no es un obstáculo en este momento. El rendimiento de los costos de la electrónica de hoy es tal que nadie se queja de gastar $ 500 por un teléfono nuevo cada cinco años mientras paga más de $ 100 por mes para operarlo.
¿Hay alguna manera de aumentar el voltaje del transistor para compensar la inyección de portador caliente con el envejecimiento del transistor?
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