Si imaginara crear una unión PN tomando un trozo de semiconductor P y un trozo de semiconductor N, y haciendo que se toquen entre sí, supondría (correctamente) que cada uno era eléctricamente neutro como lo hizo … con la derecha cantidad de electrones para la cantidad de protones presentes en la estructura cristalina.
Sin embargo, en el punto de contacto, algunos de los electrones en la región N ‘se sienten’ más estables (posición de menor energía) si migran a la región P para llenar el número correspondiente de agujeros. (Si lo prefiere, puede pensar igualmente en los agujeros que migran desde la región P para encontrarse con esos electrones en el límite).
Dado que las dos regiones comenzaron eléctricamente neutras, esto implica que la región P ahora está ligeramente cargada negativamente, y la región N está ligeramente cargada positivamente. Esto sirve para frenar una mayor migración. Por lo tanto, el ancho de la región de agotamiento (donde los electrones de la región N se han ido, y los agujeros en la región P vecina se han rellenado) alcanza un límite estable. (Puede hacer una primera aproximación al calcularlo a partir de la fórmula para un condensador de placa paralela con 0.7V como el voltaje estable que se acumula a través de una unión PN de silicio).
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