La mayoría de los diodos se fabrican solo con un material semiconductor, generalmente silicio (Si). A veces se usa un elemento semiconductor puro, como el Si (en los años 50 y 60 se usaba germanio (Ge)), otras veces se usa una “mezcla”, como SiGe o GaAs (arseniuro de galio), que aparecen en La fabricación de dispositivos utilizados en circuitos de alta frecuencia. En los diodos semiconductores, la unión pn que se comporta como un diodo se crea dopando el material puro Si (o intrínseco) Si o Ge con elementos de la columna III (para dopaje tipo p) o de la columna V (para tipo n) tabla periódica. El nivel de dopaje puede variar según el orden de magnitud.
También existe la posibilidad de fabricar diodos con una unión de semiconductores metálicos : a estos se les suele llamar diodos Schottky . Tienen un voltaje de conducción [matemático] V_ {Don} \ aproximadamente 0.3 [/ matemático] V, menor que el [matemático] 0.6 ~ 0.7 [/ matemático] V encontrado en diodos de silicio, y viajan más rápido de encendido a apagado, o viceversa -versa, que los diodos de Si normales. La unión metal-semiconductor generalmente se realiza con silicio dopado de tipo n y metales como molibdeno, platino, cromo o tungsteno, y ciertos siliciuros. El silicio tipo P es inferior para esta aplicación y generalmente no se usa.
Sin embargo, se deben cumplir ciertas condiciones para que se forme una unión Schottky rectificadora. Por ejemplo, si la intensidad del dopaje de tipo n es muy alta, se forma una unión óhmica (resistiva) en lugar de una unión rectificadora.
Consulté el artículo del diodo Schottky de Wikipedia para ver algunos de los detalles que mencioné. Puede encontrar muchos más detalles en el artículo original allí.
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Para concluir, creo que la respuesta a su pregunta, existir o no una unión rectificadora de semiconductores metálicos, se responde principalmente por el nivel de dopaje aplicado al semiconductor de tipo n: si es demasiado alta, la unión no rectificante.