La caída de voltaje a través de un diodo de estado sólido aumenta cuando aumenta la corriente, pero no de manera lineal como una resistencia, y también depende en gran medida (y de manera muy predecible) de la temperatura.
A temperatura ambiente y suponiendo que el diodo se mantenga a una temperatura constante a medida que aumenta la corriente, la caída de voltaje de un diodo de silicio aumenta casi exactamente 60 milivoltios por década de aumento de corriente.
En otras palabras, si coloca 1 microamperio de corriente a través de un diodo particular y tiene una caída de 620 milivoltios, y aumenta la corriente a 10 microamperios, verá que la caída de voltaje ha aumentado a 680 milivoltios. Aumente la corriente nuevamente a 100 microamperios y la caída de voltaje aumentará a 740 milivoltios. Esta relación es válida en un rango muy amplio.
A altas corrientes, la resistencia en masa del diodo agregará un término lineal adicional que hace que el voltaje caiga más alto de lo previsto por la regla de 60 milivoltios por década.
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Y, por otro lado, el calentamiento debido a la alta corriente disminuirá la caída de voltaje.
Los diodos de silicio cambian la caída de voltaje en 2 milivoltios por grado centígrado. Entonces, para el ejemplo que di arriba, de un diodo con 620 milivoltios de gota a 1 microamperio a una temperatura ambiente de quizás 20 grados centígrados, ese diodo solo tendría 600 milivoltios de gota a 30 grados centígrados, y solo 580 milivoltios de gota a 40 grados centígrados.
