* nota: en este caso particular, la región intrínseca y de agotamiento se refiere a lo mismo. En un diodo pin real, el caso puede analizarse con la misma ecuación, pero dos veces
Según la relación de Boltzmann, el potencial de barrera V0 depende de la proporción de concentración de dopante en las regiones pyn.
[matemáticas] V_ {0} = V_ {T} ln (p_ {p} / p_ {n}) [/ matemáticas]
El voltaje térmico se puede aproximar a 26 mV a temperatura ambiente.
[matemática] V_ {T} = kT / q [/ matemática], donde q es la carga elemental de un electrón.
- ¿Cuál es la base física detrás de la velocidad del reloj?
- ¿Cuál es la diferencia en voltaje y amperaje cuando se colocan baterías N en serie vs. en paralelo?
- ¿Qué temas hay en un currículo típico de ingeniería eléctrica de pregrado?
- ¿Por qué la medición de potencia es más conveniente a frecuencias de microondas que el voltaje y la corriente?
- ¿Qué IIT tiene la mejor facultad en ingeniería eléctrica?
Existe una diferencia entre el dopaje intrínseco y la concentración de dopaje en la región [math] n_ {i} [/ math], ya que este último se forma naturalmente y puede predecirse / calcularse utilizando modelos:
[matemática] p_ {p} [/ matemática] es más o menos igual a la concentración de los aceptadores inmóviles [matemática] N_ {A} [/ matemática] (agujeros en este caso)
y [matemática] p_ {n} = \ frac {n_ {i} ^ 2} {N_ {d}} [/ matemática], donde [matemática] N_ {d} [/ matemática] es la concentración de donantes inmóviles.
En aras de la simplificación, (es un poco más complicado debido a los efectos cuánticos y las recombinaciones) algunos libros de texto reemplazan pp y pn con lo anterior.
Na, Nd son directamente controlables mediante implantación de iones.
Vt depende de la temperatura.
También tenga en cuenta el excelente punto sobre la diferencia del potencial electrostático frente al potencial de voltaje en los semiconductores: ¿por qué no se puede medir externamente el potencial incorporado en la región de agotamiento de un diodo pn?