Un diodo semiconductor se forma fusionando material tipo p (región de cargas positivas) (los agujeros son de carga mayoritaria) con un material tipo (región de cargas negativas) (electrones son portadores de carga mayoritaria). Este diodo semiconductor cuando está conectado a una batería, se forma una región de agotamiento entre las dos regiones donde tiene lugar el intercambio de cargas, se establece una barrera potencial. En comsiron polarizado hacia adelante, una corriente de agotamiento fluye a través de la región de agotamiento. Durante este tiempo se determina la resistencia hacia adelante del diodo semiconductor. Debido a esta resistencia hacia adelante, la barrera potencial se establece en toda la región de agotamiento. Este valor puede medirse directamente por los terminales de diodo a los pines del multímetro con la polaridad adecuada manteniendo el multímetro en modo de diodo.
¿Cuál es el valor de resistencia directa del diodo semiconductor?
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fuente: Resistencia de un diodo – Resistencia directa e inversa – Circuito Globo
La resistencia directa de un diodo ideal es cero y se comporta como un cortocircuito, mientras que para un diodo real podemos determinar la resistencia al tener una relación de caída a través del diodo (potencial de barrera) y corriente que fluye a través del diodo …
Ya dado buena respuesta por akhilesh
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