Un BJT típico cae aproximadamente 0.1 a 0.2V (Vce_sat) cuando está saturado o completamente ENCENDIDO.
En muchas aplicaciones, esta gran caída es simplemente inaceptable. Entonces pueden ser descalificados allí mismo. Dejar caer 0.2V en un dispositivo alimentado por batería puede significar no utilizar aproximadamente el 15% de la capacidad de la batería.
Un MOSFET tiene una resistencia ON típicamente medida en miliohms (Rds_on). La caída de voltaje depende de la cantidad de corriente que la atraviesa. Los MOSFET con menos de 10 mOhm de resistencia y una corriente nominal de varios 10s o incluso 100s de amperios son comunes.
En la mayoría de los componentes de potencia, el calor se convierte en el factor limitante. Entonces, si un componente puede conducir de manera eficiente, genera menos calor propio y, por lo tanto, puede transportar más corriente. Entonces es una doble victoria. Para un presupuesto dado, casi siempre encontrará que un MOSFET es más eficiente y ofrece una mayor capacidad de carga actual.
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Los MOSFETS también son eficientes porque no necesitan corriente base como un BJT. La corriente base suele ser muy pequeña en comparación con la corriente de conmutación, pero sigue siendo un factor.
Entonces, ¿significa que nunca querrás usar un BJT como interruptor? No. En comparación con los MOSFET, los BJT tienen una clasificación de voltaje más alta. Para un presupuesto determinado, encontrará BJT con una clasificación de voltaje más alta que los MOSFET.
Los BJT son dispositivos controlados por corriente y también pueden ser controlados directamente por salidas CMOS / TTL, siempre que puedan obtener la corriente base requerida, que es muy pequeña y, por lo tanto, difícilmente un problema. Los MOSFETS generalmente necesitan 10 V para encenderse correctamente. Existe un MOSFET de nivel lógico que puede controlarse desde salidas CMOS / TTL pero tiene una clasificación de corriente relativamente más baja (todavía en varios amperios y puede vencer fácilmente a algunos BJT más grandes)